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Samsung Electronics accélère la recherche et le développement de la prochaine génération de mémoire à large bande, avec la première production de HBM4E prévue pour mai
Samsung Electronics pousse à fond ses efforts de R&D pour sa prochaine génération de mémoire à large bande (HBM), dans le but de renforcer davantage sa position sur le marché de la mémoire pour l'intelligence artificielle de haute gamme. Selon les rapports, Samsung Electronics prévoit de produire ses premiers échantillons de HBM4E conformes aux normes de Nvidia dès mai 2026 au plus tôt. Des sources de l'industrie ont révélé que Samsung dispose d'un calendrier clair et serré. Son objectif est, d'ici la mi-mois prochain, de faire en sorte que le département de sous-traitance parvienne à produire avec succès des échantillons de la puce logique centrale HBM4E.